Blitzschneller Speicher

Samsung bringt 512 GB eUFS 3.0 - Einsatz in Note 10 + Fold?

Mit dem 512 GB umfassenden eUFS-3.0-Speicherchip hat Samsung kurz nach der Vorstellung der S10-Reihe und des Fold eine pfeilschnelle Lösung vorgestellt. Es gibt bis zu 2,1 GB/s während dem Schreiben von Daten.
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Das neue eUFS-3.0-Speichermodul
Das neue eUFS-3.0-Speichermodul
Samsung stellte eine neue Generation von Flash-Speicher vor, die wahrscheinlich im Galaxy Note 10 und möglicherweise auch im Galaxy Fold zum Einsatz kommt. Es handelt sich um einen 512 GB großen Baustein in der Spezifikation eUFS 3.0. Bei diesem Modul ist weniger der Datenplatz, sondern die Übertragungsgeschwindigkeit interessant. Der Speicherchip hat eine sequentielle Leserate von 2,1 GBit/s, was mehr als einer Verdopplung des 1-TB-Bausteins des Galaxy S10+ entspricht. Die sequentielle Schreibrate steigt im Vergleich um 58 Prozent.

Samsung präsentiert 512 GB eUFS 3.0

Der südkoreanische Hersteller kreiert einen Großteil seiner Smartphone-Komponenten selbst, sei es der Exynos-Chipsatz, die Isocell-Kamera-Sensoren, der Arbeitsspeicher oder eben die Flash-Module. Im Januar stellte Samsung den 1-TB-Chip auf eUFS-2.1-Basis vor, der jetzt im Galaxy S10+ Verwendung findet. Es ist daher naheliegend, dass der neue 512-GB-Baustein (eUFS 3.0) im Galaxy Fold, Galaxy Note 10 oder beiden Telefonen zum Einsatz kommt. In einer Vergleichstabelle der Speicherchips wird ersichtlich, dass es teils gravierende Geschwindigkeitsunterschiede gibt. Das aus dem Januar 2015 stammende 128-GB-Modul (eUFS 2.0) verfügt über eine sequentielle Leserate von 350 MB/s, beschrieben wird es mit sequentiellen 150 MB/s. Beim 256-GB-Chip aus dem Februar 2016 (ebenfalls eUFS 2.0) sind es 850 MB/s (Lesen) respektive 260 MB/s (Schreiben). Die 512-GB-Bausteine nach eUFS 2.1 (Einführung November 2017), die sich im Galaxy S10+ befinden dürften, stemmen 860 MB/s beim Lesen und 255 MB/s beim Schreiben.

Beeindruckende Datenrate

Vergleichstabelle der Samsung-Speichermodule
Vergleichstabelle der Samsung-Speichermodule
Samsung beschreibt in seiner Pressemitteilung, dass der neue Flash-Baustein ein 3,78 GB großes Full-HD-Video in nur drei Sekunden auf einen Computer übertragen kann. Mit 2100 MB/s Lese- und 410 MB/s Schreib-Geschwindigkeit übertrumpft der 512 GB eUFS 3.0 den 1 TB eUFS 2.1 um den Faktor 2,10 beziehungsweise Faktor 1,58. Samsungs Lösung sei viermal schneller als eine gängige SSD und 20 Mal schneller als eine typische microSD-Karte. Bei den 512 GB bleibt es nicht, wie die Firma versichert. Diesen Monat soll zusätzlich auch ein 128-GB-Modul folgen. In der zweiten Jahreshälfte 2019 stehen dann auch Varianten mit 256 GB und 1 TB Flash zur Verfügung.
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