Blitzschneller Speicher

Samsung bringt 512 GB eUFS 3.0 - Einsatz in Note 10 + Fold?

Mit dem 512 GB umfassenden eUFS-3.0-Speicherchip hat Samsung kurz nach der Vorstellung der S10-Reihe und des Fold eine pfeilschnelle Lösung vorgestellt. Es gibt bis zu 2,1 GB/s während dem Schreiben von Daten.
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Samsung stellte eine neue Genera­tion von Flash-Spei­cher vor, die wahr­schein­lich im Galaxy Note 10 und mögli­cher­weise auch im Galaxy Fold zum Einsatz kommt. Es handelt sich um einen 512 GB großen Baustein in der Spezi­fika­tion eUFS 3.0. Bei diesem Modul ist weniger der Daten­platz, sondern die Über­tragungs­geschwin­digkeit inter­essant. Der Spei­cher­chip hat eine sequen­tielle Lese­rate von 2,1 GBit/s, was mehr als einer Verdopp­lung des 1-TB-Bausteins des Galaxy S10+ entspricht. Die sequen­tielle Schreib­rate steigt im Vergleich um 58 Prozent.

Das neue eUFS-3.0-Speichermodul
Das neue eUFS-3.0-Speichermodul

Samsung präsen­tiert 512 GB eUFS 3.0

Der südko­reani­sche Hersteller kreiert einen Groß­teil seiner Smart­phone-Kompo­nenten selbst, sei es der Exynos-Chip­satz, die Isocell-Kamera-Sensoren, der Arbeits­spei­cher oder eben die Flash-Module. Im Januar stellte Samsung den 1-TB-Chip auf eUFS-2.1-Basis vor, der jetzt im Galaxy S10+ Verwen­dung findet. Es ist daher nahe­liegend, dass der neue 512-GB-Baustein (eUFS 3.0) im Galaxy Fold, Galaxy Note 10 oder beiden Tele­fonen zum Einsatz kommt. In einer Vergleichs­tabelle der Spei­cher­chips wird ersicht­lich, dass es teils gravie­rende Geschwin­digkeits­unter­schiede gibt. Das aus dem Januar 2015 stam­mende 128-GB-Modul (eUFS 2.0) verfügt über eine sequen­tielle Lese­rate von 350 MB/s, beschrieben wird es mit sequen­tiellen 150 MB/s. Beim 256-GB-Chip aus dem Februar 2016 (eben­falls eUFS 2.0) sind es 850 MB/s (Lesen) respek­tive 260 MB/s (Schreiben). Die 512-GB-Bausteine nach eUFS 2.1 (Einfüh­rung November 2017), die sich im Galaxy S10+ befinden dürften, stemmen 860 MB/s beim Lesen und 255 MB/s beim Schreiben.

Beein­druckende Daten­rate

Vergleichstabelle der Samsung-Speichermodule
Vergleichstabelle der Samsung-Speichermodule
Samsung beschreibt in seiner Pres­semit­teilung, dass der neue Flash-Baustein ein 3,78 GB großes Full-HD-Video in nur drei Sekunden auf einen Computer über­tragen kann. Mit 2100 MB/s Lese- und 410 MB/s Schreib-Geschwin­digkeit über­trumpft der 512 GB eUFS 3.0 den 1 TB eUFS 2.1 um den Faktor 2,10 bezie­hungs­weise Faktor 1,58. Samsungs Lösung sei viermal schneller als eine gängige SSD und 20 Mal schneller als eine typi­sche microSD-Karte. Bei den 512 GB bleibt es nicht, wie die Firma versi­chert. Diesen Monat soll zusätz­lich auch ein 128-GB-Modul folgen. In der zweiten Jahres­hälfte 2019 stehen dann auch Vari­anten mit 256 GB und 1 TB Flash zur Verfü­gung.
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